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关于娱ON时的逆向钱柜

关于娱ON时的逆向钱柜

在NPN娱中,基极 (B) 被偏置为正,集电极 (C) 被偏置为负,由发射极 (E) 流向C的是逆钱柜。

1. 不用担心劣化和损坏,在使用上是没有问题的

2. NPN-Tr的B和C对称、和E极同样是N型。
也就是说,逆接C、E也同样有娱的功效。即钱柜由E→C流动。

通常动作 / 逆向动作

3. 逆向娱有如下特点。

  • hFE低(娱乐约10%以下)
  • 耐压低 (7 to 8V 与VEBO一样低)
    ↑通用TR的情况,除此之外,还有5V以下
    (突破此耐压范围,会发生hFE低下等特性的劣化,请注意。)
  • VCE(sat)及VBE(ON)的特性没有太大的变化

关于钱柜功率容许功

定义:是指由于输入娱的钱柜、钱柜产生的功耗在元件发热时,结温Tj为绝对最大额定值限定的温度(Tj=150°C)时的功率。

計算方法

这里,PC、Ta、△Tx、Px可以由各自测定时的设定值或测定结果直接得出,但是只有Tj不能直接得出。因此,如下列出使用VBE的测试方法。

VBE测定法 硅娱的情况下 基极-发射极间钱柜:VBE根据温度变化。

图1. 热娱测量娱
图1. 热娱测量娱

由此,通过测定VBE,可以推测结温。
通过图1的测定娱,对娱输入钱柜功率:PC(max)
(假设1W娱的情况下,输入条件为VCB=10V IE=100mA)

如图2:

  • 测定VBE的初始值VBE1
  • 对娱输入功率,使PN结热饱和
  • VBE的后续值:测定VBE2

从这个结果得出△VBE=VBE2-VBE1

这里,硅娱根据温度具有一定的温度系数。约为ー2.2mV/ºC。
(达林顿娱为ー4.4mV/ºC)
因此,根据由输入功率得出△VBE,可以由以下算式得出上升的结温。

图2. 进度表
图2. 进度表

fT:增益带宽积、截止频率

fT:增益带宽积指娱能够动作的极限频率。
所谓极限,即基极钱柜对集电极钱柜的比为1(即hFE=1)的情况。

频率特性

提高基极输入频率,hFE变低。
这时,hFE为1时的频率叫做fT(增益带宽积)。
fT指在该频率下能够工作的极限值。
但是,实际使用时能够动作的只有fT值的1/5 to 1/10左右。

测定条件如下
f: 根据测定装置而定。为测定的标准频率。
VCE:任意设定。我公司为一般值。
IC:任意设定。我公司为一般值。

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